Zespół Badawczy Epitaksji Związków Półprzewodnikowych

Zespół koncentruje się na badaniach nowych emiterów głębokiego UV opartych na azotkach grupy-III (AlGaInN) w układach z unikatowymi kombinacjami materiałowymi, łączącymi m.in. arsen, bor, a w przyszłości również inne pierwiastki grupy-III. Zespół prowadzi badania podstawowe na potrzeby nowatorskich wdrożeń związanych z procesami oczyszczania wody oraz dezynfekcji dla branży medycznej i służby zdrowia. Prace obejmują badania nad wykorzystaniem różnych kombinacji metod epitaksjalnych do wytwarzania unikatowych układów warstwowych. Główne wyzwania, jakie zespół rozwiązuje w swoich badaniach, związane są z wytwarzaniem wysokojakościowych struktur o dużej zawartości aluminium spełniających wymagania wydajnych źródeł dla emiterów głębokiego ultrafioletu. Dowiedz się więcej